原位熱氧化實(shí)現(xiàn)二維Bi2O2Te半導(dǎo)體的高k值單晶氧化層
中大新聞網(wǎng)訊(通訊員孫勇)氧化物-半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)在場(chǎng)效應(yīng)晶體管、憶阻器和隧穿結(jié)等功能器件中有重要作用,是半導(dǎo)體材料可高效應(yīng)用于集成化微電子、光電子器件的關(guān)鍵。半導(dǎo)體硅具有高度可控的原位熱氧化工藝,使其在當(dāng)今半導(dǎo)體工業(yè)得到廣泛應(yīng)用。最近,二維材料在平面集成化功能系統(tǒng)中已體現(xiàn)誘人的應(yīng)用前景,但到目前,僅極少數(shù)種類(lèi)可以通過(guò)熱氧化、氧等離子體處理等方式獲得原位氧化物層,且質(zhì)量及控制性不足以支撐高性能器件...



