中大團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)大面積Bi2O2Te晶體薄膜的可控制備
中大新聞網(wǎng)訊(通訊員孫勇)常規(guī)材料的磁阻比值較低,且在高磁場(chǎng)下趨于飽和(洛倫茲力作用),而具有非飽和線(xiàn)性磁阻的二維量子材料在磁傳感和存儲(chǔ)器件中具有重要的潛在應(yīng)用,是當(dāng)前凝聚態(tài)物理研究的前沿?zé)狳c(diǎn)。隨著量子材料與技術(shù)的發(fā)展,陸續(xù)在石墨烯、狄拉克半金屬及拓?fù)浣^緣體中發(fā)現(xiàn)了非飽和線(xiàn)性磁阻現(xiàn)象。PL模型(經(jīng)典模型)和量子模型是解釋線(xiàn)性磁阻現(xiàn)象的兩大理論,前者將其歸因于遷移率以及載流子濃度的空間漲落,后者則...



